Исключительная твердость и механическая прочность
Твердость по Моосу ~9,5, уступая только алмазу и нитриду бора.
Высокийизносостойкость, что делает его идеальным для абразивных применений (например, шлифовальных кругов, режущих инструментов).
Сохраняет механическую стабильность даже при экстремальных нагрузках.
Свойства широкозонных полупроводников
Ширина запрещенной зоны 3,26 эВ (4H-SiC), значительно больше, чем у кремния (1,12 эВ).
Позволяет работать наболее высокие напряжения, температуры и частоты.
Снижает потери энергии в силовой электронике.
Высокийкритическая напряженность электрического поля(в 10 раз больше, чем у кремния), что позволяет создавать более тонкие и эффективные устройства.
Выдающиеся тепловые свойства
Высокая теплопроводность (~ 490 Вт/м·К для 4H-SiC при комнатной температуре), превосходя большинство металлов и полупроводников.
Отличныйрассеивание тепла, что имеет решающее значение для силовой электроники и высокочастотных устройств.
Термическая стабильность до 1600 градусов(температура плавления ~2700 градусов), подходит для экстремальных условий (например, аэрокосмическая промышленность, ядерные реакторы).
Ключевые преимущества по сравнению с традиционными материалами
| Свойство | Карбид кремния (SiC) | Кремний (Si) | Нитрид галлия (GaN) |
|---|---|---|---|
| Запрещенная зона (эВ) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| Теплопроводность | Высокий (~490 Вт/м·К) | Низкий (~150 Вт/м·К) | Умеренный (~ 253 Вт/м·К) |
| Максимальная рабочая температура. | ~600 градусов + | ~150 градусов | ~300 градусов |
| Напряженность электрического поля | 10x Си | Базовый уровень | ~3x Си |
горячая этикетка : Ключевые характеристики карбида кремния, Китай Ключевые характеристики карбида кремния, производители, поставщики, завод